超越CMOS，英特爾探索邏輯器件的未來

12月3日，《自然》雜志發表了一篇有關下一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發明的磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件。相較于目前的互補金屬氧化物半導體（CMOS），MESO器件結合超低休眠狀態功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不斷微縮CMOS的同時，英特爾一直在研究超越CMOS時代的未來十年即將出現的計算邏輯選項，推動計算能效提升，并跨越不同的計算架構促進性能增長。

超越CMOS，英特爾探索邏輯器件的未來

英特爾資深院士兼技術與制造事業部探索性集成電路組總監Ian Young表示，“我們正在研究超越CMOS時代的計算方案，尋求革命性而不是演進性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎，將量子材料創新與計算結合在一起。我們對已經取得的進展感到非常興奮，并期待著發揮其潛力，未來做出進一步降低翻轉電壓的演示?！?

英特爾研究人員發明的MESO器件，考慮到了未來計算所需的關于存儲器、互連線和邏輯的要求。英特爾已經做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現新興量子行為的量子材料，以及由Ramamoorthy Ramesh開發的磁電材料（Ramamoorthy Ramesh就任于加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室）。MESO還利用了由Albert Fert描述的自旋軌道超導效應（Spin-orbit transduction effects，Albert Fert就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團聯合物理研究組）。

英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開發。它展現了該技術的可能性，并有望在業界、學術界和各國家實驗室中引發新一輪創新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關鍵材料和技術，還需要進行更多開發。”