iPhone7將擁有2倍速度閃存？

盡管iPhone6的后續(xù)產品還沒有推出，但人們已經開始期待第七代產品。經常關注蘋果產品動向的果粉們肯定知道，想要知道蘋果最新產品的一些硬件配置，最好的方法就是關注與蘋果又合作關系的零件供應商。繼而從供應商生產工藝的改變觀察到蘋果新產品的蛛絲馬跡。幾天之前，SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據最新的消息來看，這種新閃存將很有可能被應用到蘋果將在2016年推出的iPhone7身上，帶來更快、更大的存儲速度和空間。

兩家存儲巨頭開發(fā)出的世界首款256GbitX348層3DNAND閃存，采用3bit/cell多值化技術，容量為32GB。簡單地說，這種32GB的閃存模塊無論是在速度還是效率上，都要超過任何現有的產品。目前，這種256GbitX3芯片采用了15nm的工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進一步降低。并且，因為采用了3D堆棧技術，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機、平板電腦之類的設備。

擁有如此優(yōu)秀的供應商，蘋果當然不會輕易放棄。況且之前蘋果與SanDisk、東芝已經建立了合作伙伴關系，因此我們有理由相信蘋果會在第一時間為自己的產品使用這種最新的閃存技術。

蘋果的第六代iPhone系列產品均采用SanDisk和東芝的供貨，對著全新閃存技術的問世，果粉們將很有可能在iPhone7上看到兩家公司為蘋果產品帶來的新的變革，這將意味著iPhone7將在存儲能力與傳輸速度上獲得大幅度的提升。