<del id="aymay"></del> MRAM是磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存的簡(jiǎn)稱，其能夠以磁荷作為數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)來進(jìn)行存儲(chǔ)。這項(xiàng)能夠顛覆現(xiàn)代存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)被TDK公司抬升到了一個(gè)全新的高度。TDK公司生產(chǎn)出了MRAM的原型實(shí)物，這就意味著這種技術(shù)在未來將有可能替代閃存技術(shù)。
在讀寫速度上，MRAM與SRAM、DRAM不相上下。不僅如此，由MRAM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將是非易失性的，也就是說MRAM能夠進(jìn)行斷電保存，可以說MRAM綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR Flash閃存進(jìn)行了肩并肩對(duì)比，讀寫數(shù)據(jù)的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
需要指出的是，目前對(duì)MRAM進(jìn)行的試驗(yàn)，使用的是容量較小的芯片，如果當(dāng)配備容量更大的芯片，MRAM的表現(xiàn)相比將更加優(yōu)異。目前，TDK已經(jīng)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒有量產(chǎn)能力，商用的時(shí)候必須另外尋找代工伙伴。對(duì)于外界關(guān)心的何時(shí)能正式投入使用的問題。TDK表示，就目前的開發(fā)進(jìn)度和技術(shù)水平來說，想要將MRAM投入市場(chǎng)至少好需要十年的時(shí)間。
至于這項(xiàng)比普通閃存快7倍的技術(shù)何時(shí)能實(shí)際投入使用，目前還沒有確切時(shí)間，但是TDK表示可能需要長(zhǎng)達(dá)10年。值得注意的是，目前不止TDK，英特爾、東芝、三星、IBM、海力士等知名企業(yè)也都在對(duì)MRAM進(jìn)行不同程度上的開發(fā)和研究。
