Intel 14nm工藝無(wú)人能敵 一張圖全解析

科技圈電子界的人都知道Intel 14nm工藝的過(guò)人之處，近日，日本同行PCWatch對(duì)Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯世界第一的芯片巨頭有多強(qiáng)悍。

Intel 22nm曾經(jīng)在工藝上率先使用了3D立體晶體管，到14nm則將進(jìn)化到第二代；此外，其他廠商也陸續(xù)發(fā)布了類(lèi)似的FinFET，包括臺(tái)積電16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。

來(lái)看看它們的間距數(shù)據(jù)對(duì)比：

Intel 14nm的柵極間距為70nm，內(nèi)部互聯(lián)最小間距為52nm，這兩項(xiàng)指標(biāo)分別比22nm縮小了22%、35%。

相比之下，臺(tái)積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當(dāng)于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內(nèi)部互聯(lián)最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23%。

可以說(shuō)間距越小就可以把晶體管做得更小、更密，對(duì)于電路集成度、芯片性能等指標(biāo)的重要性不言而喻。