<del id="aymay"></del> 本文提出了一種基于UCC28600控制器的準諧振反激式開關電源的設計方案，該方案分析了準諧振反激式開關電源的工作原理及實現方式，給出了電路及參數設計和選擇過程，以及實際工作開關波形。實驗證明，該方案中所設計的準諧振反激式開關電源具有輸入電壓范圍寬、轉換效率高、低EMI、工作穩定可靠的特點。準諧振技術降低了MOSFET的開關損耗，提高產品可靠性。
準諧振轉換是十分成熟的技術，廣泛用于消費產品的電源設計中。新型的綠色電源系列控制器實現低至150 mW 的典型超低待機功耗。本文將闡述準諧振反激式轉換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設計準諧振電源。
常規的硬開關反激電路
圖1 所示為常規的硬開關反激式轉換器電路。這種不連續模式反激式轉換器(DCM)一個工作周期分為三個工作區間：( t0 ~ t1)為變壓器向負載提供能量階段，此時輸出二極管導通，變壓器初級的電流通過Np:Ns的耦合流向輸出負載，逐漸減小。
MOSFET電壓由三部分疊加而成：輸入直流電壓VDC、輸出反射電壓VFB、漏感電壓VLK.到 t1 時刻，輸出二極管電流減小到0，此時變壓器的初級電感和和寄生電容構成一個弱阻尼的諧振電路，周期為2π LC 。在停滯區間( t1~ t2)，寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數值。當下一個周期t2 節點，MOSFET 導通時間開始時，寄生電容(COSS和CW )上電荷會通過MOSFET放電，產生很大的電流尖峰。由于這個電流出現時MOSFET存在一個很大的電壓，該電流尖峰因此會做成開關損耗。此外，電流尖峰含有大量的諧波含量，從而產生EMI。
準諧振反激式設計的實現
利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET 漏源電壓(VDS )的第一個最小值或谷值，并僅在這時啟動MOS-FET導通時間，由于寄生電容被充電到最低電壓，導通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關(Valley Switching)或準諧振開關。這種電源是由輸入電壓/負載條件決定的可變頻率系統。換言之，調節是通過改變電源的工作頻率來進行，不管當時負載或輸入電壓是多少，MOSFET始終保持在谷底的時候導通。這類型的工作介于連續(CCM) 和不連續條件模式(DCM)之間。因此，以這種模式工作的轉換器被稱作在臨界電流模式(CRM)下工作。臨界模式下MOSFET漏源電壓如圖2所示。
