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    LDO環(huán)路穩(wěn)定性及其對射頻頻綜相位噪聲的影響

    2014-01-20 14:03 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英


    摘要

    相位噪聲是時鐘、射頻頻綜最為關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)之一。影響鎖相環(huán)相噪的因素有很多,比如電源、參考源相噪、VCO自身的相噪、環(huán)路濾波器的設(shè)置等。其中,電源引入的低頻噪聲往往對鎖相環(huán)的近端相噪有著很大的影響。對于高性能的時鐘和射頻頻綜產(chǎn)品,為了獲得極低的相噪性能,往往采用低噪聲的LDO供電。然而,采用不同的LDO給頻綜供電,取得的相噪性能往往會有很大差別,同時,LDO外圍電路設(shè)計(jì)也會影響到頻綜的相噪性能。

    本文首先簡要地介紹了LDO的噪聲來源及環(huán)路穩(wěn)定性對輸出噪聲的影響;其次,根據(jù)調(diào)頻理論推導(dǎo)出VCO的相位噪聲與LDO的噪聲頻譜密度的理論計(jì)算關(guān)系。在此基礎(chǔ)上,為了驗(yàn)證LDO噪聲對射頻頻綜輸出相噪的影響,分別采用TPS7A8101和TPS74401 LDO評估板給TRF3765射頻頻綜評估板供電,對比測試這兩種情況下的TRF3765相噪曲線;同時,為了驗(yàn)證LDO環(huán)路穩(wěn)定性對頻綜相噪的影響,針對TPS7A8101評估板的參考電路做出部分修改,并對比測試了電路修改前后的TRF3765輸出相噪。

    1、LDO噪聲來源及環(huán)路穩(wěn)定性對輸出噪聲影響

    1.1 LDO噪聲來源

    LDO的噪聲分為LDO內(nèi)部的噪聲和LDO外部的噪聲。LDO內(nèi)部的噪聲來自于內(nèi)部電路的帶隙基準(zhǔn)源,放大器以及晶體管。LDO外部的噪聲來自于輸入。在LDO的手冊中,PSRR是表征LDO抑制外部噪聲的能力,但PSRR高并不代表LDO內(nèi)部噪聲小。LDO的總輸出噪聲才是表征LDO內(nèi)部噪聲抑制的參數(shù),一般在電氣特性表里用單位?VRMS表示,或者在噪聲頻譜密度圖上表示。

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    圖2是LDO內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖,VN代表等效噪聲源。噪聲源包括帶隙基準(zhǔn)源產(chǎn)生的噪聲VN (REF),誤差放大器產(chǎn)生的噪聲VN (AMP),F(xiàn)ET產(chǎn)生的噪聲VN (FET)以及反饋電阻產(chǎn)生的噪聲VN ( R1)和VN ( R2)。在大多數(shù)情況下,由于帶隙基準(zhǔn)源電路是由很多不同的電阻、晶體管和電容組成,它所產(chǎn)生的噪聲會遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于反饋電阻產(chǎn)生的噪聲。而且?guī)痘鶞?zhǔn)源是誤差放大器的輸入,它所產(chǎn)生的噪聲也會經(jīng)由誤差放大器放大來控制FET,所以誤差放大器本身以及FET所產(chǎn)生的噪聲也會比帶隙基準(zhǔn)源的噪聲要低。可以說,LDO內(nèi)部最大的噪聲源就是帶隙基準(zhǔn)源。我們把LDO輸出噪聲VN (OUT)表示為

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    VN ( Other)是VN ( AMP)以及VN (FET)的和。由公式1可以得出,輸出噪聲最小值出現(xiàn)在R1短接到FB,誤差放大器的增益近似為1的時候。

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    1.2 LDO噪聲抑制方法

    為了抑制帶隙基準(zhǔn)源產(chǎn)生的噪聲,有三種辦法。

    一是降低誤差放大器的帶寬,抑制了帶隙基準(zhǔn)源的高頻噪聲。但是降低帶寬會使LDO的動態(tài)性能降低。

    二是在帶隙基準(zhǔn)源和誤差放大器之間加低通濾波。高性能的LDO都會有一個噪聲抑制NR管腳,CNR并聯(lián)在帶隙基準(zhǔn)源和GND之間,起到低通濾波的作用。如圖3所示。

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    三是在反饋電阻R1上增加前饋電容CFF.在增加了CFF和CNR后,輸出噪聲可以表示為

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    從式2可以得出,CFF越大,輸出噪聲就越小。頻率越高,輸出噪聲越小。

    圖4是不同CFF下的噪聲頻譜密度圖。可以看出,CFF越大,噪聲從低頻開始都能被很好的抑制。CFF太小的時候,抑制噪聲的作用就不太明顯。當(dāng)頻率很高的時候,不管用多大的CFF,噪聲頻譜密度相差不會太大。所以,增加合適的前饋電容CFF,對改善LDO低頻噪聲有非常好的效果。

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    1.3 LDO環(huán)路穩(wěn)定性與輸出噪聲的關(guān)系

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    從LDO的小信號分析可以看出,LDO有兩個低頻極點(diǎn),如果沒有合適的零點(diǎn)補(bǔ)償,LDO的穩(wěn)定裕度不夠,就有可能產(chǎn)生震蕩。穩(wěn)定裕度不夠的LDO產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲會更大。上節(jié)中提到第三種噪聲抑制方法,即增加前饋電容CFF是實(shí)際上為了改善系統(tǒng)穩(wěn)定裕度。由CFF與R1組成一個低頻零點(diǎn),

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    由下圖的頻率響應(yīng)可以看出,零點(diǎn)是相位裕度有了很大的提升,增加了系統(tǒng)穩(wěn)定性,從而減小了系統(tǒng)低頻噪聲。

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    射頻 LDO 環(huán)路穩(wěn)定性

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